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半导体 组 3
bcp 54
... bcp 56
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0 bcp 54
bcp 55
bcp 56
V
(br)ce0
45
60
80
–
–
–
–
–
–
nA
µ
一个
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0,
T
一个
= 150 ˚C
I
CB0
–
–
–
–
100
20
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-根基 损坏 电压
1)
I
C
= 100
µ
一个,
I
B
= 0 bcp 54
bcp 55
bcp 56
V
(br)cb0
45
60
100
–
–
–
–
–
–
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10
µ
一个,
I
C
= 0
V
(br)eb0
5––
V
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
CEsat
– – 0.5
–dc 电流 增益
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 2 V
I
C
= 150 毫安,
V
CE
= 2 V
bcp 54/bcp 55/bcp 56
bcp 54/bcp 55/bcp 56-10
bcp 54/bcp 55/bcp 56-16
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 V
h
FE
25
40
63
100
25
–
–
100
160
–
–
250
160
250
–
根基-发射级 电压
1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 V
V
是
––1
µ
一个发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 5 v
I
EB0
––10
mhztransition 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 100 MHz
f
T
– 100 –
交流 特性
1)
脉冲波 测试 情况:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.

标　题:
内　容:
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半导体组 3 bcp 54 ... bcp 56 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. vcollector-发射级损坏电压 I C = 10 毫安, I B = 0 bcp 54 bcp 55 bcp 56 V (br)ce0 45 60 80 – – – – – – nA µ 一个集电级-根基截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 V CB = 30 v, I E = 0, T 一个 = 150 ˚C I CB0 – – – – 100 20 UnitValuesParameter 标识最小值典型值最大值直流特性集电级-根基损坏电压 1) I C = 100 µ 一个, I B = 0 bcp 54 bcp 55 bcp 56 V (br)cb0 45 60 100 – – – – – – 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µ 一个, I C = 0 V (br)eb0 5–– V 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 500 毫安, I B = 50 毫安 V CEsat – – 0.5 –dc 电流增益 I C = 5 毫安, V CE = 2 V I C = 150 毫安, V CE = 2 V bcp 54/bcp 55/bcp 56 bcp 54/bcp 55/bcp 56-10 bcp 54/bcp 55/bcp 56-16 I C = 500 毫安, V CE = 2 V h FE 25 40 63 100 25 – – 100 160 – – 250 160 250 – 根基-发射级电压 1) I C = 500 毫安, V CE = 2 V V 是 ––1 µ 一个发射级-根基截止电流 V EB = 5 v I EB0 ––10 mhztransition 频率 I C = 50 毫安, V CE = 10 v, f = 100 MHz f T – 100 – 交流特性 1) 脉冲波测试情况: t ≤ 300 µ s, D = 2 %.

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