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资料编号:164519
 
资料名称:BCW61DLT1
 
文件大小: 258.54K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
m10–6/6
T
J
, 接合面 温度 (°c)
图示 15. 典型 集电级 泄漏 电流
V
CC
= 30 v
I
C
, 集电级 电流 (na)
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
–1
10
–2
–4 –2 0 +20 +40 +60 +80 +100 +120 +140 +160
I
CBO
I
CEX
@ v
是(止)
= 3.0 v
I
CEO
设计 便条: 使用 的 热的 回馈 数据
一个 train 的 periodical 电源 脉冲 能 是 represented 用 这
模型 作 显示 在 图示 15. 使用 这 模型 和 这 设备
热的 回馈 这 normalized 有效的 瞬时 热的 re-
sistance 的 图示 14 是 计算 为 各种各样的 职责 循环.
至 find z
θ
ja(t)
, 乘以 这 值 得到 从 图示 14 用
这 稳步的 状态 值 r
θ
JA
.
例子:
这 mps3905 是 dissipating 2.0 watts 顶峰 下面 这 下列-
ing 情况:
t
1
= 1.0 ms, t
2
= 5.0 ms. (d = 0.2)
使用 图示 14 在 一个 脉冲波 宽度 的 1.0 ms 和 d = 0.2, 这
读 的 r(t) 是 0.22.
这 顶峰 上升 在 接合面 温度 是 因此
t = r(t) x p
(pk)
x r
θ
JA
= 0.22 x 2.0 x 200 = 88°c.
为 更多 信息, 看 an–569.
bcw61blt1 bcw61clt1 bcw61dlt1
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