bcx 51 ... bcx 53
半导体 组 3
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
–
直流 电流 增益
1)
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 2 V
I
C
= 150 毫安,
V
CE
= 2 V
bcx 51, bcx 52, bcx 53
bcx 51-10, bcx 52-10, bcx 53-10
bcx 51-16, bcx 52-16, bcx 53-16
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 V
h
FE
25
40
63
100
25
–
–
100
160
–
–
250
160
250
–
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安
bcx 51
bcx 52
bcx 53
V
(br)ce0
45
60
80
–
–
–
–
–
–
nA
µ
一个
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 v,
T
一个
= 150 ˚C
I
CB0
–
–
–
–
100
20
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个
bcx 51
bcx 52
bcx 53
V
(br)cb0
45
60
100
–
–
–
–
–
–
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10
µ
一个
V
(br)eb0
5––
V
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
CEsat
– – 0.5
根基-发射级 电压
1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 V
V
是
––1
naemitter 截止 电流
V
EB
= 4 V
I
EB0
––20
mhztransition 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 20 MHz
f
T
– 125 –
交流 特性
1)
脉冲波 测试:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.