©2000 仙童 半导体 国际的
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rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. safe 运行 范围 图示 4. 电源 减额
0.01 0.1 1 10
1
10
100
1000
V
CE
= 2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
I
C
= 10 i
B
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
1 10 100
0.1
1
10
I
C
最大值 (持续的)
BD179
BD177
BD175
10
µ
s
100
µ
s
1ms
直流
I
C
最大值 (搏动)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度