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资料编号:165415
 
资料名称:BD131
 
文件大小: 43.96K
   
说明
 
介绍:
NPN power transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999 Apr 12 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 电源 晶体管 BD131
特性
高 电流 (最大值. 3 一个)
低 电压 (最大值. 45 v).
产品
一般 目的 电源 产品.
描述
npn 电源 晶体管 在 一个 至-126; sot32 塑料
包装. pnp complement: bd132.
固定
管脚 描述
1 发射级
2 集电级, 连接 至 metal 部分 的
挂载 表面
3 根基
图.1 simplified 外形 (至-126; sot32)
标识.
handbook, halfpage
MAM254
123
顶 视图
1
2
3
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
70 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
45 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
6V
I
C
集电级 电流 (直流)
3A
I
CM
顶峰 集电级 电流
6A
I
BM
顶峰 根基 电流
0.5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
60
°
C
15 W
T
stg
存储 温度
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度
65 +150
°
C
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