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©2000 仙童 半导体 国际的
bd534/536/538
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. safe 运行 范围 图示 4. 电源 减额
-0.01 -0.1 -1 -10
10
100
1000
V
CE
= -2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
-0.1 -1 -10
-0.01
-0.1
-1
V
是
(sat)
V
CE
(sat)
I
C
= 10 i
B
V
是
(sat)[v], v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-1 -10 -100 -1000
-0.1
-1
-10
-100
100
µ
s
BD538
BD536
BD534
10
µ
s
1ms
10ms
直流
I
C
(最大值)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度

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©2000 仙童半导体国际的 bd534/536/538 rev. 一个, 二月 2000 典型特性图示 1. 直流电流增益图示 2. 根基-发射级饱和电压集电级-发射级饱和电压图示 3. safe 运行范围图示 4. 电源减额 -0.01 -0.1 -1 -10 10 100 1000 V CE = -2v h FE , 直流电流增益 I C [a], 集电级电流 -0.1 -1 -10 -0.01 -0.1 -1 V 是 (sat) V CE (sat) I C = 10 i B V 是 (sat)[v], v CE (sat)[v], 饱和电压 I C [a], 集电级电流 -1 -10 -100 -1000 -0.1 -1 -10 -100 100 µ s BD538 BD536 BD534 10 µ s 1ms 10ms 直流 I C (最大值) I C [a], 集电级电流 V CE [v], 集电级-发射级电压 0 25 50 75 100 125 150 175 200 0 10 20 30 40 50 60 70 80 P C [w], 电源消耗 T C [ o c], 情况温度

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