©2002 仙童 半导体 公司
bd676a/678a/680a/682
rev. b, 九月 2002
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 根基-发射级 在 电压 图示 4. safe 运行 范围
图示 5. 电源 减额
-0.1 -1 -10
100
1000
10000
V
CE
= -3v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
-0.1 -1 -10
-0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
I
C
= 250 i
B
V
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0
-0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-3.2
-3.6
-4.0
V
CE
= 3v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
-1 -10 -100 -1000
-0.1
-1
BD678A
10
µ
s
I
C
(最大值). 搏动
BD682
BD680A
BD676A
100
µ
s
1ms
10ms
直流
I
C
(最大值). 持续的
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
4
8
12
16
20
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度