*
这个 产品 描述 在 这个 规格 isn't judged whether 它 应用 至 cocom regulations.
请 confirm 在 情况 的 export.
应用 电路
-
2
2.0
7.25.8
-
V
--
0.8 V
毫安
I
CC
VINH
VINL
3
-
3.6r
在
ILEAK
电路 电流
[
控制 输入
]
h 水平的 输入 电压
l 水平的 输入 电压
[
输出
]
V
M
电流 在 备用物品
360
4.4
3 4
毫安
IVM
V
M
电路 电流
250 400
I
CCST
电路 电流 在 备用物品
PS=H
pha1, pha2, i01, i11, i02, i12
pha1, pha2, i01, i11, i02, i12
Io=
±
300ma, 总 的 在-阻抗
的 upside 和 bottom 一侧
RNF=0V
vref=2v, io=l, i1=l
vref=2v, io=h, i1=l
vref=2v, io=l, i1=h
r=39k , c=1nf
-
0 10
IVMST
PS=0V
PS=0V
PS=H
电的 特性 (
Ta=25
°
C
, vcc=5v, v
M
=35v)
-
100
输出 在 阻抗
输出 leak 电流
[Current
控制 部分
]
-
2
-
-
0.6
-
1
-
-
0.1
rnfx 输入 电流
0 2.0
-
VVREF
IRNF
IVREF
vrefx 输入 电流
vrefx 输入 电压
0.34 0.460.4 V
CTHLL
比较器 门槛 (100%)
0.227 0.3070.267 vcthhlcomparator 门槛 (67%)
0.133 0.1530.133 vcthlhcomparator 门槛 (33%)
0.3 1.00.5tminonminimum 在 时间
标识 最小值 最大值 单位 conditionstyp.参数
供应 电压 v
CC
供应 电压 v
M
V
CC
4.5 6.0
-
V
10 37
-
V
推荐 运行 情况 (ta=25
°
C)
参数 最小值 最大值 unittyp.标识
TSD
UVLO
Predriver1
一个
SHOT
缓存区
DAC
DAC
Predriver2
一个
SHOT
电流 限制 竞赛.
缓存区
电流 限制 竞赛.
PS
VCC
地
VREF1
I01
I11
PHA1
CR1
VREF2
I02
I12
PHA2
CR2
VREG
VM0
RNF1
OUT1B
OUT1A
VM1
RNF2
OUT2B
OUT2A
VM2
PGND
3
1nF
1nF
逻辑
逻辑
PS
4
6
9
7
8
19
18
20
17
11
16
12
14
13
15
21
1
23
24
22
5
2
10
BD6775EFV
V
M
rev.一个
一个
一个
一个
一个
一个
S
39k
1
39k
1
0.1
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