bd744, bd744a, bd744b, bd744C
pnp 硅 电源 晶体管S
2
8月 1978 - 修订 march 1997
产品 信息
注释: 5. 这些 参数 必须 是 量过的 使用 脉冲波 技巧,t
p
= 300 µs, 职责 循环
≤
2%.
6. 这些 参数 必须 是 量过的 使用 电压-感觉到 联系, 独立的 从 这 电流 carrying 联系.
†
电压 和 电流 值 显示 是 名义上的; 精确的 值 相异 slightly 和 晶体管 参数.
电的 特性 在 25°c 情况 温度 (除非 否则 指出)
PARAMETER 测试 情况S MIN TYP 毫安X UNIT
V
(br)ceO
集电级-发射级
损坏 voltage
I
C
= -30 m一个 I
B
=0 (看 便条 5)
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
-45
-60
-80
-100
V
I
CBO
集电级 截-止
current
V
CE
= -50 v
V
CE
= -70 v
V
CE
= -90 v
V
CE
= -110 v
V
CE
= -50 v
V
CE
= -70 v
V
CE
= -90 v
V
CE
= -110V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
T
C
= 125°c
T
C
= 125°c
T
C
= 125°c
T
C
= 125°C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-5
-5
-5
-5
m一个
I
CEO
集电级 截-止
current
V
CE
= -30 v
V
CE
= -60V
I
B
= 0
I
B
= 0
bd744/744a
bd744b/744C
-0.1
-0.1
m一个
I
EBO
发射级 截-止
current
V
EB
= -5V I
C
= 0 -0.5 m一个
h
FE
向前 电流
转移 ratio
V
CE
= -4 v
V
CE
= -4 v
V
CE
= -4V
I
C
= -1 一个
I
C
= -5 一个
I
C
= -15 一个
(看 注释 5 和 6)
40
20
5
150
V
ce(sat)
集电级-发射级
饱和 voltage
I
B
= -0.5 一个
I
B
= -5一个
I
C
= -5 一个
I
C
= -15 一个
(看 注释 5 和 6)
-1
-3
V
V
BE
根基-发射级
voltage
V
CE
= -4 v
V
CE
= -4V
I
C
= -5 一个
I
C
= -15一个
(看 注释 5 和 6)
-1
-3
V
h
fe
小 信号 向前
电流 转移 ratio
V
CE
= -10V I
C
= -1 一个 f = 1 khz 25
|
h
fe
|
小 信号 向前
电流 转移 ratio
V
CE
= -10V I
C
= -1 一个 f = 1 mhz 5
热的 典型的s
PARAMETER MIN TYP 毫安X UNIT
R
θ
JC
接合面 至 情况 热的 resistance 1.4 °c/W
R
θ
J一个
接合面 至 自由 空气 热的 resistance 62.5 °c/W
resistive-加载-切换 特性 在 25°c 情况 temperature
PARAMETER 测试 情况
†
MIN TYP 毫安X UNIT
t
d
延迟 time
I
C
= -5 一个
V
是(止)
= 4.2V
I
b(在)
= -0.5 一个
R
L
= 6
Ω
I
b(止)
= 0.5 一个
t
p
= 20 µs, 直流
≤
2%
20 ns
t
r
上升 time 120 ns
t
s
存储 time 600 ns
t
f
下降 time 300 ns
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