BD746C_集成电路资料查询网

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8月 1978 - 修订 march 1997
bd746, bd746a, bd746b, bd746c
pnp 硅 电源 晶体管
产品  信息
典型 典型的S
图示 1. 图示 2.
最大 safe operating 区域S
图示 3.
典型 直流 电流 增益
vs
集电级 电流
I
C
- 集电级 电流 - 一个
-0·1 -1·0 -10 -100
h
FE
- 直流 电流 增益
10
100
1000
TCS636AE
T
C
= 125°c
T
C
=   25°c
T
C
=  -55°c
V
CE
=   -4 v
t
p
= 300 µs, 职责 循环 < 2%
集电级-发射级 饱和 电压
vs
集电级 电流
I
C
- 集电级 电流 - 一个
-0·1 -1·0 -10 -100
V
ce(sat)
- 集电级-发射级 饱和 电压 - v
-0·01
-0·1
-1·0
-10
TCS636AF
T
C
=  -55°c
T
C
=   25°c
T
C
= 125°c
t
p
= 300µs, 职责 循环 < 2%
I
C
I
B
= 10
最大 向前-偏差
safe 运行 范围
V
CE
- 集电级-发射级 电压 - v
-1·0 -10 -100 -1000
I
C
- 集电级 电流 - 一个
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
SAS635AC
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
t
p
=    1 ms,
d = 0.1 = 10%
t
p
=  10 ms,
d = 0.1 = 10%
t
p
=  50 ms,
d = 0.1 = 10%
直流 运作

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3 8月 1978 - 修订 march 1997 bd746, bd746a, bd746b, bd746c pnp 硅电源晶体管产品信息典型典型的S 图示 1. 图示 2. 最大 safe operating 区域S 图示 3. 典型直流电流增益 vs 集电级电流 I C - 集电级电流 - 一个 -0·1 -1·0 -10 -100 h FE - 直流电流增益 10 100 1000 TCS636AE T C = 125°c T C = 25°c T C = -55°c V CE = -4 v t p = 300 µs, 职责循环 < 2% 集电级-发射级饱和电压 vs 集电级电流 I C - 集电级电流 - 一个 -0·1 -1·0 -10 -100 V ce(sat) - 集电级-发射级饱和电压 - v -0·01 -0·1 -1·0 -10 TCS636AF T C = -55°c T C = 25°c T C = 125°c t p = 300µs, 职责循环 < 2% I C I B = 10 最大向前-偏差 safe 运行范围 V CE - 集电级-发射级电压 - v -1·0 -10 -100 -1000 I C - 集电级电流 - 一个 -0·01 -0·1 -1·0 -10 -100 SAS635AC BD746 BD746A BD746B BD746C t p = 1 ms, d = 0.1 = 10% t p = 10 ms, d = 0.1 = 10% t p = 50 ms, d = 0.1 = 10% 直流运作

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