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bdp948, bdp950
2 jul-06-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
BDP948
BDP950
V
(br)ceo
45
60
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
B
= 0
BDP948
BDP950
V
(br)cbo
45
60
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
5 - -
集电级 截止 电流
V
CB
= 45 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 45 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
- - 20 µA
发射级 截止 电流
V
EB
= 4 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 100 nA
直流 电流 增益  1)
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 1 v
I
C
= 1 一个,
V
CE
= 2 v
h
FE
25
85
50
-
-
-
-
475
-
-
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 2 一个,
I
B
= 0.2 一个
V
CEsat
- - 0.5 V
根基-发射级 饱和 电压  1)
I
C
= 2 一个,
I
B
= 0.2 一个
V
BEsat
- - 1.3
交流 特性
转变 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 100 mhz
f
T
- 100 - MHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 40 - pF
1)  脉冲波 测试: t
≤
=
300
µ
s, d = 2%

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bdp948, bdp950 2 jul-06-2001 电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性集电级-发射级损坏电压 I C = 10 毫安, I B = 0 BDP948 BDP950 V (br)ceo 45 60 - - - - V 集电级-根基损坏电压 I C = 100 µa, I B = 0 BDP948 BDP950 V (br)cbo 45 60 - - - - 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µa, I C = 0 V (br)ebo 5 - - 集电级截止电流 V CB = 45 v, I E = 0 I CBO - - 100 nA 集电级截止电流 V CB = 45 v, I E = 0 , T 一个 = 150 °c I CBO - - 20 µA 发射级截止电流 V EB = 4 v, I C = 0 I EBO - - 100 nA 直流电流增益 1) I C = 10 毫安, V CE = 5 v I C = 500 毫安, V CE = 1 v I C = 1 一个, V CE = 2 v h FE 25 85 50 - - - - 475 - - 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 2 一个, I B = 0.2 一个 V CEsat - - 0.5 V 根基-发射级饱和电压 1) I C = 2 一个, I B = 0.2 一个 V BEsat - - 1.3 交流特性转变频率 I C = 50 毫安, V CE = 10 v, f = 100 mhz f T - 100 - MHz 集电级-根基电容 V CB = 10 v, f = 1 mhz C cb - 40 - pF 1) 脉冲波测试: t ≤ = 300 µ s, d = 2%

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