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资料编号:166662
资料名称:
BDP950
文件大小: 44.46K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon AF Power Transistors
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bdp948, bdp950
4
jul-06-2001
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
0.6
V
CEsat
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
毫安
I
C
100°C
25°C
-50°c
集电级 截止 电流
I
CBO
=
f
(
T
一个
)
V
CB
= 45v
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
一个
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
nA
I
CBO
最大值
典型值
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
V
BEsat
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
毫安
I
C
-50°c
25°C
100°C
集电级 电流
I
C
=
f
(
V
是
)
V
CE
=
2V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
V
是
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
毫安
I
C
-50°c
25°C
100°C
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