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资料编号:166662
 
资料名称:BDP950
 
文件大小: 44.46K
   
说明
 
介绍:
PNP Silicon AF Power Transistors
 
 


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bdp948, bdp950
4 jul-06-2001
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 10
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
V
0.6
V
CEsat
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
毫安
I
C
100°C
25°C
-50°c
集电级 截止 电流
I
CBO
=
f
(
T
一个
)
V
CB
= 45v
0 20 40 60 80 100 120
°C
150
T
一个
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
nA
I
CBO
最大值
典型值
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V
1.3
V
BEsat
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
毫安
I
C
-50°c
25°C
100°C
集电级 电流
I
C
=
f
(
V
)
V
CE
=
2V
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V
1.3
V
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
毫安
I
C
-50°c
25°C
100°C
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