mbm29lv160te/是
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(持续)
这 设备 也 特性 一个 sector 擦掉 architecture. 这 sector 模式 准许 各自 sector 至 是 erased 和
reprogrammed 没有 影响 其它 sectors. 这 mbm29lv160te/是 是 erased 当 运输 从 这 工厂.
这 设备 特性 单独的 3.0 v 电源 供应 运作 为 两个都 读 和 写 功能. 内部 发生
和 管制 电压 是 提供 为 这 程序 和 擦掉 行动. 一个 低 v
CC
探测器 automatically
inhibits 写 行动 在 这 丧失 的 电源. 这 终止 的 程序 或者 擦掉 是 发现 用 数据
polling 的 dq
7
,
用 这 toggle 位 特性 在 dq
6
, 或者 这 ry/用输出 管脚. once 这 终止 的 一个 程序 或者 擦掉 循环 有 被
comleted, 这 设备 内部 resets 至 这 读 模式.
这 mbm29lv160te/是 也 有 一个 硬件 重置
管脚. 当 这个 管脚 是 驱动 低, 执行 的 任何 em-
bedded 程序 algorithm 或者 embedded 擦掉 algorithm 是 terminated. 这 内部的 状态 机器 是 然后
重置 至 这 读 模式. 这 重置
管脚 将 是 系 至 这 系统 重置 电路系统. 因此, 如果 一个 系统 重置
occurs 在 这 embedded 程序 algorithm 或者 embedded 擦掉 algorithm, 这 设备 是 automatically
重置 至 这 读 模式 和 将 有 erroneous 数据 贮存 在 这 地址 locations 正在 编写程序 或者
erased. 这些 locations 需要 re-writing 之后 这 重置. resetting 这 设备 使能 这 系统’s micropro-
cessor 至 读 这 激励-向上 firmware 从 这 flash 记忆.
fujitsu’s flash 技术 结合 年 的 flash 记忆 制造 experience 至 生产 这 最高的
水平 的 质量, 可靠性, 和 费用 成效. 这 mbm29lv160te/是 记忆 用电气 erases 所有 位
在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-nordhiem tunneling. 这 字节/words 是 编写程序 一个 字节/文字
在 一个 时间 使用 这 非易失存储器 程序编制 mechanism 的 hot electron injection.
* :
■
包装
48-管脚 塑料 tsop (i)
(fpt-48p-m19)
48-管脚 塑料 csop
(lcc-48p-m03)
48-管脚 塑料 tsop (i)
(fpt-48p-m20)
48-管脚 塑料 fbga
(bga-48p-m11)
标记 一侧
标记 一侧
embedded 擦掉
TM
和 embedded 程序
TM
是 商标 的 先进的 微观的 设备, 公司
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