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资料编号:169525
 
资料名称:BF545B
 
文件大小: 100.11K
   
说明
 
介绍:
N-channel silicon junction field-effect transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1996 Jul 29 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 接合面
field-效应 晶体管
bf545a; bf545b; bf545c
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板, 最大 含铅的 长度 4 mm; 挂载 垫子 为 这 流
含铅的 10 mm
2
.
静态的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 指定.
标识 参数 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的; 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)gss
门-源 损坏 电压 I
G
=
1
µ
一个; v
DS
=0
30
−−
V
V
GSoff
门-源 截-止 电压 I
D
= 200
µ
一个; v
DS
=15V
BF545A
0.4
−−
2.2 V
BF545B
1.6
−−
3.8 V
BF545C
3.2
−−
7.8 V
I
D
=1
µ
一个; v
DS
=15V
0.4
−−
7.5 V
I
DSS
流 电流 V
GS
= 0; v
DS
=15V
BF545A 2
6.5 毫安
BF545B 6
15 毫安
BF545C 12
25 毫安
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=
20 v; v
DS
=0
−−
0.5
1000 pA
V
GS
=
20 v; v
DS
=0;
T
j
= 125
°
C
−−−
100 nA
y
fs
向前 转移 admittance V
GS
= 0; v
DS
=15V 3
6.5 mS
y
os
一般 源 输出
admittance
V
GS
= 0; v
DS
=15V
40
−µ
S
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