1996 Jul 29 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 接合面
field-效应 晶体管
bf545a; bf545b; bf545c
动态 特性
T
amb
=25
°
c; 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 典型值 单位
C
是
输入 电容 V
DS
=15v; v
GS
=
−
10 v; f = 1 MHz 1.7 pF
V
DS
=15v; v
GS
= 0; f = 1 MHz 3 pF
C
rs
反转 转移 电容 V
DS
=15v; v
GS
=
−
10 v; f = 1 MHz 0.8 pF
V
DS
=15v; v
GS
= 0; f = 1 MHz 0.9 pF
g
是
一般 源 输入 conductance V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 100 MHz 15
µ
S
V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 450 MHz 300
µ
S
g
fs
一般 源 转移
conductance
V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 100 MHz 2 mS
V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 450 MHz 1.8 mS
g
rs
一般 源 反转
conductance
V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 100 MHz
−
6
µ
S
V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 450 MHz
−
40
µ
S
g
os
一般 源 输出
conductance
V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 100 MHz 30
µ
S
V
DS
=10v; i
D
= 1 毫安; f = 450 MHz 60
µ
S
图.3 流 电流 作 一个 函数 的 门-源
截-止 电压; 典型 值.
V
DS
= 15 v; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
30
20
10
0
−
2
−
4
−
8
−
6
MBB467
I
DSS
(毫安)
V
GSoff
(v)
图.4 向前 转移 admittance 作 一个
函数 的 门-源 截-止 电压;
典型 值.
V
DS
= 15 v; v
GS
= 0; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
6
5
4
−
2
−
4
−
8
MBB466
−
6
V
GSoff
(v)
Y
fs
(ms)
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