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文档 号码 85002
rev. 1.5, 25-十一月-04
VISHAY
BF961
vishay 半导体
电的 直流 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
电的 交流 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
V
DS
= 15 v, i
D
= 10 毫安, v
G2S
= 4 v, f = 1 mhz
典型 characteristics (tamb = 25
°
c 除非 否则 指定)
参数 测试 情况 Part 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
流 - 源 损坏
电压
I
D
= 10
µ
一个, - v
G1S
= - v
G2S
= 4 v V
(br)ds
20 V
门 1 - 源 损坏
电压
± i
G1S
= 10 毫安, v
G2S
= v
DS
= 0 ± v
(br)g1ss
814V
门 2 - 源 损坏
电压
± i
G2S
= 10 毫安, v
G1S
= v
DS
= 0 ± v
(br)g2ss
814V
门 1 - 源 泄漏 电流 ± v
G1S
= 5 v, v
G2S
= v
DS
= 0 ± i
G1SS
100 nA
门 2 - 源 泄漏 电流 ± v
G2S
= 5 v, v
G1S
= v
DS
= 0 ± i
G2SS
100 nA
流 电流 V
DS
= 15 v, v
G1S
= 0, v
G2S
= 4 v BF961 I
DSS
420mA
BF961A I
DSS
4 10.5 毫安
BF961B I
DSS
9.5 20 毫安
门 1 - 源 截-止 电压 V
DS
= 15 v, v
G2S
= 4 v,
I
D
= 20
µ
一个
- v
g1s(止)
3.5 V
门 2 - 源 截-止 电压 V
DS
= 15 v, v
G1S
= 0, i
D
= 20
µ
一个- v
g2s(止)
3.5 V
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 transadmittance | y
21s
|12 15 mS
门 1 输入 电容 C
issg1
3.7 pF
门 2 输入 电容 V
G1S
= 0, v
G2S
= 4 v C
issg2
1.6 pF
反馈 电容 C
rss
25 fF
输出 电容 C
oss
1.6 pF
电源 增益 G
S
= 2 ms, g
L
= 0.5 ms,
f = 200 mhz
G
ps
20 dB
agc 范围 V
G2S
= 4 至 - 2 v, f = 200 mhz
∆
G
ps
50 dB
噪音 图示 G
S
= 2 ms, g
L
= 0.5 ms,
f = 200 mhz
f1.82.5db
图示 1. 总的 电源 消耗 vs. 包围的 温度
0
50
100
150
200
250
300
0 20 40 60 80 100 120 140 160
96 12159
P
-
总的 电源 消耗 ( mW )
tot
T
amb
- 包围的 温度 (
°
c)
图示 2. 流 电流 vs. 流 源 电压
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
024681012141618202224
V
DS
– 流 源 Voltage(v)
96 12160
I – 流 电流 ( 毫安)
D
V
G1S
= 0.6 V
0.4 V
0.2 V
0
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V