VISHAY
BF961
文档 号码 85002
rev. 1.5, 25-十一月-04
vishay 半导体
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3
图示 3. 向前 transadmittance vs. 门 2 源 电压
图示 4. 向前 transadmittance vs. 门 1 源 电压
图示 5. 门 1 输入 电容 vs. 门 1 源 电压
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
–2–10123456
V
G2S
– 门 2 源 Voltage(v)
96 12161
Y – ForwardTransadmittance ( mS )
21S
V
DS
=15V
I
DS
=10mA
V
G1S
= 0.5 V
0V
–0.5 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V
G1S
- 门 1 源 电压 ( V )
96 12162
Y – ForwardTransadmittance ( mS )
21S
V
DS
=15V
f=1MHz
V
G2S
=5V
4V
3V
2V
1V
0V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
–2.0–1.5–1.0–0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
V
G1S
– 门 1 源 Voltage(v)
96 12163
C – 门 1 输入 电容 ( pF )
issg1
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
f=1MHz
图示 6. 门 2 输入 电容 vs. 门 2 源 电压
图示 7. 输出 电容 vs. 流 源 电压
图示 8. 短的 电路 输入 admittance
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
–2–101234567
V
G2S
– 门 2 源 Voltage(v)
96 12164
C – 门 2 输入 电容 ( pF )
issg2
V
DS
=15V
V
G1S
=0
f=1MHz
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0246810121416182022
V
DS
- 流 源 V oltage ( V )
96 12165
C – 输出 电容 ( pF )
oss
V
G2S
=4V
f=1MHz
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
012345678910
Re (y
11
)(ms)
96 12166
im(y ) (ms)
11
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
= 5...20 毫安
f = 50...700 MHz
f =700 MHz
600 MHz
500 MHz
400 MHz
300 MHz
200 MHz
100 MHz
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