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资料编号:169743
 
资料名称:BFG193
 
文件大小: 48.45K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)
 
 


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BFG193
六月-27-20016
电源 增益
G
毫安
,
G
ms
=
f
(
V
CE
):_____
|
S
21
|
2
=
f
(
V
CE
):---------
f
= 参数
0 2 4 6 8
V
12
V
CE
0
2
4
6
8
10
12
14
dB
18
G
0.9ghz
1.8ghz
0.9ghz
1.8ghz
I
C
=30mA
交调 intercept 要点
IP
3
=
f
(
I
C
)
(3rd 顺序, 输出,
Z
S
=
Z
L
=50
)
V
CE
= 参数,
f
= 900mhz
0 10 20 30 40 50 60
毫安
80
I
C
10
15
20
25
dBm
35
IP
3
8V
5V
3V
2V
1V
电源 增益
G
毫安
,
G
ms
=
f
(
f
)
V
CE
= 参数
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
GHz
3.5
f
0
5
10
15
20
25
dB
35
G
10V
2V
1V
0.7v
I
C
=30mA
电源 增益
|
S
21
|
2
=
f
(
f
)
V
CE
=
参数
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
GHz
3.5
f
-2
2
6
10
14
18
22
26
dB
32
S
21
10V
2V
1V
0.7v
I
C
=30mA
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