1995 sep 12 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 8 ghz wideband 晶体管 BFG198
描述
npn planar 外延的 晶体管 在 一个
塑料 sot223 封套, 将
为 wideband 放大器 产品.
这 设备 特性 一个 高 增益 和
极好的 输出 电压 能力.
固定
管脚 描述
1 发射级
2 根基
3 发射级
4 集电级
图.1 sot223.
age
4
123
msb002 - 1
顶 视图
快 涉及 数据
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 tab.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
10 V
I
C
直流 集电级 电流
−−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
= 135
°
c (便条 1)
−−
1W
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 50 毫安; v
CE
=5v; t
j
=25
°
C4090
−
f
T
转变 频率 I
C
= 50 毫安; v
CE
= 8 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
8
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源
增益
I
C
= 50 毫安; v
CE
= 8 v; f = 500 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
18
−
dB
I
C
= 50 毫安; v
CE
= 8 v; f = 800 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
15
−
dB
V
o
输出 电压 d
im
=
−
60 db; i
C
= 70 毫安; v
CE
=8v;
R
L
=75
Ω
; t
amb
=25
°
c;
f
(p+q
−
r)
= 793.25 MHz
−
700
−
mV
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
20 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
10 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
2.5 V
I
C
直流 集电级 电流
−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
= 135
°
c (便条 1)
−
1W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
175
°
C
: 点此下载
