九月 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 9 ghz wideband 晶体管 bfg520; bfg520/x; bfg520/xr
特性
T
j
= 25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
2. I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; r
L
=50
Ω;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
c;
f
p
= 900 mhz; f
q
= 902 mhz;
量过的 在 f
(2p
−
q)
= 898 mhz 和 f
(2q
−
p)
= 904 mhz.
3. d
im
=
−
60 db (din 45004b);
V
p
=V
o
;v
q
=V
o
−
6 db; v
r
=V
o
−
6 db;
f
p
= 795.25 mhz; f
q
= 803.25 mhz; f
r
= 805.25 mhz;
量过的 在 f
(p
+
q
−
r)
= 793.25 mhz
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 6 v
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v 60 120 250
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
=0;v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
1
−
pF
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
=0;v
CB
= 6 v; f = 1 MHz
−
0.6
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
=0;v
CB
= 6 v; f = 1 MHz
−
0.3
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
−
9
−
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益 (便条 1)
I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 900 mhz;
T
amb
= 25
°
C
−
19
−
dB
I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 2 ghz;
T
amb
= 25
°
C
−
13
−
dB
S
21
2
嵌入 电源 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; f = 900 mhz;
T
amb
= 25
°
C
17 18
−
dB
F 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
;i
C
= 5 毫安; V
CE
=6v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.1 1.6 dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 20 毫安; v
CE
=6 v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
1.6 2.1 dB
Γ
s
=
Γ
opt
;i
C
= 5 毫安; v
CE
=6 v;
f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
1.9
−
dB
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩
I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; r
L
=50
Ω
;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
17
−
dBm
ITO 第三 顺序 intercept 要点 便条 2
−
26
−
dBm
V
o
输出 电压 便条 3
−
275
−
mV
d
2
第二 顺序 交调
扭曲量
I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 v; v
o
= 75 mv;
T
amb
=25
°
c; f
(p
+
q)
= 810 mhz
−−
50
−
dB
G
UM
10 log
S
21
2
1S
11
2
–
1S
22
2
–
--------------------------------------------------------------
db.
=
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