九月 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 6 ghz wideband 晶体管 BFG94
特性
T
j
= 25
°
C 除非 否则 specified.
注释
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
2. d
im
=
−
60 db (din 45004b, par 6.3: 3-声调); i
C
= 45 毫安; v
CE
= 10 v; r
L
= 75
Ω
; t
amb
= 25
°
c;
V
p
= v
O
在 d
im
=
−
60 db; f
p
= 795.25 mhz;
V
q
= v
O
−
6 db; v
r
= v
O
−
6 db;
f
q
= 803.25 mhz; f
r
= 805.25 mhz;
量过的 在 f
(p+q
−
r)
= 793.25 mhz.
3. I
C
= 45 毫安; v
CE
= 10 v; r
L
= 75
Ω
; t
amb
= 25
°
c;
V
q
= v
O
= 280 mv;
f
p
= 250 mhz; f
q
= 560 mhz;
量过的 在 f
(p+q)
= 810 mhz.
4. I
C
= 45 毫安; v
CE
= 10 v; r
L
= 50
Ω
;t
amb
= 25
°
c;
f
p
= 1000 mhz; f
q
= 1001 mhz;
量过的 在 f
(2p
−
q)
和 f
(2q
−
p
).
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 10 v
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 30 毫安; v
CE
= 5 v 45 90
−
I
C
= 45 毫安; v
CE
= 10 v
−
100
−
C
c
集电级 电容 I
E
= i
e
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 mhz
−
0.9 2 pF
C
e
发射级 电容 I
C
= i
e
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 mhz
−
2.9 4.5 pF
C
re
反馈 电容 I
C
= i
c
= 0; v
CE
= 10 v; f = 1 mhz
−
0.5 0.8 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 45 毫安; v
CE
= 10 v; f = 1 ghz;
T
amb
= 25
°
C
4
−−
GHz
I
C
= 30 毫安; v
CE
= 5 v; f = 1 ghz;
T
amb
= 25
°
C
46
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益
(note1)
I
C
= 45 毫安; v
CE
= 10 v; f = 1 ghz;
T
amb
= 25
°
C
11.5 13.5
−
dB
F 最小 噪音 figure
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 45 毫安; V
CE
= 10 v;
f = 500 mhz
−
2.7
−
dB
Γ
s
=
Γ
opt
; i
C
= 45 毫安; V
CE
= 10 v;
f = 1 ghz
−
3
−
dB
V
O
输出 电压 便条 2
−
500
−
mV
d
2
第二 顺序 交调
扭曲量
便条 3
−−
51
−
dB
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩
I
C
= 45 毫安; v
CE
= 10 v; R
L
= 50
Ω
;
T
amb
= 25
°
c; 量过的 在 f = 1 GHz
−
21.5
−
dBm
ITO 第三 顺序 intercept 要点 便条 4
−
34
−
dBm
G
UM
10
S
21
2
1S
11
2
–
1S
22
2
–
--------------------------------------------------------------
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