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资料编号:170145
资料名称:
BFN39
文件大小: 45.72K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon High-Voltage Transistors
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bfn37, bfn39
十一月-30-20012
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0
BFN37
BFN39
V
(br)ceo
250
300
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100 µa,
I
E
= 0
BFN37
BFN39
V
(br)cbo
250
300
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 100 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
5
-
-
集电级 截止 电流
V
CB
= 200 v,
I
E
= 0
V
CB
= 250 v,
I
E
= 0
BFN37
BFN39
I
CBO
-
-
-
-
100
100
nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 200 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
V
CB
= 250 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
BFN37
BFN39
I
CBO
-
-
-
-
20
-
µA
发射级 截止 电流
V
EB
= 4 v,
I
C
= 0
I
EBO
-
-
100
nA
直流 电流 增益 1)
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 10 v
I
C
= 30 毫安,
V
CE
= 10 v
BFN37
BFN39
h
FE
25
40
40
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 20 毫安,
I
B
= 2 毫安
BFN37
BFN39
V
CEsat
-
-
-
-
0.4
0.5
V
根基-发射级 饱和 电压 1)
I
C
= 20 毫安,
I
B
= 2 毫安
V
BEsat
-
-
0.9
1) 脉冲波 测试: t < 300
s; d < 2%
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