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资料编号:170154
 
资料名称:BFP620
 
文件大小: 209.97K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Germanium RF Transistor
 
 


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BFP620
apr-21-2004
4
额外的刺激 参数 (gummel-poon 模型, berkley-额外的刺激 2g.6 syntax):
transitor 碎片 数据:
是 =
0.22 fA
vaf =
1000 V
ne =
2-
var =
2V
nc =
2-
rbm =
2.707
cje =
250.7 fF
tf =
1.43 ps
itf =
2.4 一个
vjc =
0.6 V
tr =
0.2 ns
mjs =
0.5 -
xti =
3-
af = 2 -
TITF1 -0.0065 -
nf =
1.025 -
ise =
21 fA
nr =
1-
isc =
18 pA
irb =
1.522 毫安
rc =
2.364
mje =
0.3 -
vtf =
1.5 V
cjc =
124.9 fF
xcjc =
1-
vjs =
0.52 V
eg =
1.078 eV
TNOM
298 K
bf = 425
-
ikf = 0.25
一个
br = 50
-
ikr = 10
毫安
rb = 3.129
re = 0.6
-
vje = 0.75
V
xtf = 10
-
ptf = 0
deg
mjc = 0.5
-
cjs = 128.1
fF
nk = -1.42
-
fc = 0.8
kf = 7.291e-11
TITF2 1.0e-5
所有 参数 是 准备好 至 使用, 非 scalling 是 需要.
包装 相等的 电路:


lbc =
60
pH
lcc =
50
pH
lec =
15
pH
lbb = 764.5 pH
lcb = 725.4 pH
leb = 259.6 pH
cbec =
98.4
fF
cbcc =
55.9
fF
ces =
140
fF
cbs =
54
fF
ccs =
50
fF
cceo =
106.5
fF
cbeo =
106.7
fF
ccei = 132.4 fF
cbei = 99.6 fF
rbs =
1200
rcs = 1200
res = 300
为 examples 和 准备好 至 使用 参数
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