BFP405SIEGET
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8月-20-20014
为 非-直线的 simulation:
使用 晶体管 碎片 参数 在 berkeley 额外的刺激 2g.6 syntax 为 所有 simulators.
如果 你 需要 simulation 的 这 反转 特性, 增加 这 二极管 和 这
c'-e'- 二极管 数据 在 集电级 和 发射级.
simulation 的 包装 是 不 需要 为 发生率 < 100mhz.
为 高等级的 发生率 增加 这 线路 的 包装 相等的 电路 周围 这
非-直线的 晶体管 和 二极管 模型.
便条:
这个 晶体管 是 构成 在 一个 一般 发射级 配置. 这个 特性 导致
一个 额外的 反转 片面的 二极管 在 发射级 和 集电级, 这个 做 不
效应 正常的 运作.
EHA07307
C
EE
B
晶体管 图式 图解
这 一般 发射级 配置 显示 这 下列的 有利因素:
高等级的 增益 因为 的 更小的 发射级 电感.
电源 是 dissipated 通过 这 grounded 发射级 leads, 因为 这 碎片 是 挂载
在 铜 发射级 引线框架.
请 便条, 那 这 broadest 含铅的 是 这 发射级 含铅的.
一般 发射级 s- 和 噪音-参数
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