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资料编号:170254
 
资料名称:BFQ17
 
文件大小: 35.13K
   
说明
 
介绍:
NPN 1 GHz wideband transistor
 
 


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九月 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 1 ghz wideband 晶体管 BFQ17
描述
npn 晶体管 在 一个 sot89 塑料
封套 将 为 应用 在
厚 和 薄的-影片 电路. 这
晶体管 有 极其 好的
交调 properties 和 一个 高
电源 增益.
固定
管脚 描述
代号: fa
1 发射级
2 集电级
3 根基
图.1 sot89.
123
bottom 视图
MBK514
快 涉及 数据
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 tab.
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
40 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
25 V
I
CM
顶峰 集电级 电流
300 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
= 145
°
C (便条 1)
1W
f
T
转变 频率 I
C
= 150 毫安; v
CE
= 15 v; f = 500 mhz;
T
j
= 25
°
C
1.5
GHz
C
re
反馈 电容 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 15 v; f = 1 mhz;
T
amb
= 25
°
C
1.9
pF
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
40 V
V
CER
集电级-发射级 电压 R
50
Ω−
40 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
25 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
2V
I
C
直流 集电级 电流
150 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流 f
>
1 mhz
300 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
= 145
°
c (便条 1)
1W
T
stg
存储 温度
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
175
°
C
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