九月 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 4 ghz wideband 晶体管 BFQ34
特性
T
j
= 25
°
C 除非 否则 specified.
注释
1. 量过的 和 grounded 发射级 和 根基.
2. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
3. d
im
=
−
60 db (din 45004b, par. 6.3.: 3-tone); i
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v; r
L
= 75
Ω
; t
amb
= 25
°
c;
V
p
= v
O
在 d
im
=
−
60 db; f
p
= 795.25 mhz;
V
q
= v
O
−
6 db; f
q
= 803.25 mhz;
V
r
= v
O
−
6 db; f
r
= 805.25 mhz;
量过的 在 f
(p+q
−
r)
= 793.25 mhz.
4. I
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v; t
amb
= 25
°
c; R
L
= 75
Ω
;
量过的 在 f = 800 mhz.
5. I
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v; r
L
= 75
Ω
;t
amb
= 25
°
c;
P
p
= ito
−
6 db; f
p
= 800 mhz;
P
q
= ito
−
6 db; f
q
= 801 mhz;
量过的 在 f
(2q
−
p)
= 802 mhz 和 在 f
(2p
−
q)
= 799 mhz.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 15 v
−−
100
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 75 毫安; v
CE
= 15 v 25 70
−
I
C
= 150 毫安; v
CE
= 15 v 25 70
−
f
T
转变 频率 I
C
= 75 毫安; v
CE
= 15 v; f = 500 mhz 3 3.5
−
GHz
I
C
= 150 毫安; v
CE
= 15 v;
f = 500 mhz
3.5 4
−
GHz
C
c
集电级 电容 I
E
= 0; v
CB
= 15 v; f = 1 mhz
−
2 2.75 pF
C
e
发射级 电容 I
C
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 mhz
−
11
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 15 v; f = 1 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
1 1.35 pF
C
c-s
集电级-stud 电容 便条 1
−
0.8
−
pF
F 噪音 figure (看 图.2) I
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v;
f = 500 mhz; T
amb
=25
°
C
−
8
−
dB
G
UM
最大 unilateral 电源 增益
(便条 2)
I
C
= 120 毫安; v
CE
= 15 v;
f = 500 mhz; T
amb
=25
°
C
−
16.3
−
dB
V
o
输出 电压 figs 2 和 7 和 便条 3
−
1.2
−
V
P
L1
输出 电源 在 1 db 增益
压缩 (看 图.2)
便条 4
−
26
−
dBm
ITO 第三 顺序 intercept 要点 (看 图.2) 便条 5
−
45
−
dBm
G
UM
10
S
21
2
1S
11
2
–
1S
22
2
–
--------------------------------------------------------------
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