九月 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 5 ghz wideband 晶体管 BFQ19
热的 阻抗
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 tab.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零 和
标识 参数 情况 热的 阻抗
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至
焊接 要点
向上 至 t
s
= 145
°
c (便条 1) 30 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
= 10 v
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 70 毫安; v
CE
= 10 v 25 80
−
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 mhz
−
1.6
−
pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 mhz
−
5
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 10 v; f = 1 mhz;
T
amb
=25
°
C
−
1.3
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 70 毫安; v
CE
= 10 v; f = 500 mhz 4.4 5.5
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益
(便条 1)
I
C
= 50 毫安; v
CE
= 10 v;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
11.5
−
dB
I
C
= 50 毫安; v
CE
= 10 v;
f = 800 mhz; t
amb
=25
°
C
−
7.5
−
dB
F 噪音 figure I
C
= 50 毫安; v
CE
= 10 v; z
s
= opt.;
f = 500 mhz; t
amb
=25
°
C
−
3.3
−
dB
G
UM
10 log
S
21
2
1S
11
2
–
1S
22
2
–
--------------------------------------------------------------
db.
=
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