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1996 Sep 04 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn video 晶体管 BFQ225
图.2  直流 soar.
T
mb
=25
°
c.
handbook, halfpage
MBG486
10
2
10
10
2
10
3
10
3
10
V
CE
(v)
I
C
(毫安)
图.3  电源 减额 曲线.
V
CE
≤
50 v.
handbook, halfpage
0
4
P
tot
(w)
1
2
3
0
100 200
T
mb
(
o
c)
MBG487
热的 特性
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 从 接合面 至
挂载 根基
P
tot
= 3.75 w; t
mb
=25
°
C 40 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 0.1 毫安; i
E
= 0 100
−−
V
V
(br)cer
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 1 毫安; r
是
= 100
Ω
95
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
C
= 0; i
E
= 0.1 毫安 3
−−
V
I
CES
集电级-发射级 泄漏 电流 V
CE
= 50 v; v
是
=0
−−
100
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 25 毫安; v
CE
=10v;
看 图.4
20
−−
f
T
转变 频率 I
C
= 25 毫安; v
CE
=10v;
f = 500 mhz; 看 图.5
−
1
−
GHz
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 mhz;
看 图.6
−
1.7
−
pF

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1996 Sep 04 3 飞利浦半导体产品规格 npn video 晶体管 BFQ225 图.2 直流 soar. T mb =25 ° c. handbook, halfpage MBG486 10 2 10 10 2 10 3 10 3 10 V CE (v) I C (毫安) 图.3 电源减额曲线. V CE ≤ 50 v. handbook, halfpage 0 4 P tot (w) 1 2 3 0 100 200 T mb ( o c) MBG487 热的特性特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况值单位 R th j-mb 热的阻抗从接合面至挂载根基 P tot = 3.75 w; t mb =25 ° C 40 k/w 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)cbo 集电级-根基损坏电压 I C = 0.1 毫安; i E = 0 100 −− V V (br)cer 集电级-发射级损坏电压 I C = 1 毫安; r 是 = 100 Ω 95 −− V V (br)ebo 发射级-根基损坏电压 I C = 0; i E = 0.1 毫安 3 −− V I CES 集电级-发射级泄漏电流 V CE = 50 v; v 是 =0 −− 100 µ 一个 h FE 直流电流增益 I C = 25 毫安; v CE =10v; 看图.4 20 −− f T 转变频率 I C = 25 毫安; v CE =10v; f = 500 mhz; 看图.5 − 1 − GHz C re 反馈电容 I C = 0; v CB = 10 v; f = 1 mhz; 看图.6 − 1.7 − pF

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