1997 Oct 02 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn video 晶体管 bfq232; bfq232a
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 0.1 毫安; i
E
=0
BFQ232 100
−−
V
BFQ232A 115
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
=0
BFQ232 65
−−
V
BFQ232A 95
−−
V
V
(br)cer
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 10 毫安; r
是
= 100
Ω
BFQ232 95
−−
V
BFQ232A 110
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 0.1 毫安; i
C
=0 3
−−
V
I
CES
集电级-发射级 截-止 电流 I
B
= 0; v
CE
=50V
−−
100
µ
一个
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=50V
−−
20
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 50 毫安; v
CE
=10v;
T
amb
=25
°
c; 看 图.4
20 35
−
f
T
转变 频率 I
C
= 50 毫安; v
CE
=10v;
f = 100 mhz; t
amb
=25
°
c;
看 图.6
BFQ232 1 1.4
−
GHz
BFQ232A 0.8 1.2
−
GHz
C
cb
集电级-根基 电容 I
C
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 mhz;
T
amb
=25
°
c; 看 图.5
−
2
−
pF
图.2 直流 soar.
handbook, halfpage
MBB880
0
400
300
200
0
20 40 60
100
80
V
CEO
(v)
I
C
(毫安)
图.3 电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
T
s
(
o
c)
P
tot
(w)
0 50 100 200
2
0
MBB895
150
3
4
1