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资料编号:170448
 
资料名称:BFR92AT
 
文件大小: 90.08K
   
说明
 
介绍:
NPN 5 GHz wideband transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2000 三月 28 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 5 ghz wideband 晶体管 BFR92AT
特性
高 电源 增益
金 敷金属 确保
极好的 可靠性
sot416 (sc-75) 包装.
产品
RF 放大器, mixers 和 oscillators
和 信号 发生率 向上 至 1 ghz.
描述
硅 npn 晶体管 encapsulated
一个 塑料 SOT416 (sc-75) 包装.
BFR92AT 使用 一样 结晶
作 这 sot23 版本: bfr92a.
固定
管脚 描述
1 根基
2 发射级
3 集电级
fpage
12
3
MBK090
顶 视图
标记 代号:
p2.
图.1 sot416.
快 涉及 数据
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 集电级 管脚.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−−
20 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−−
15 V
I
C
集电级 电流 (直流)
−−
25 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
s
=75
°
c; 便条 1
−−
150 mW
h
FE
电流 增益 I
C
= 15 毫安; v
CE
= 10 V 40 90
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
= 10 v; f = 1 mhz; t
amb
=25
°
C
0.35
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 15 毫安; v
CE
= 10 v; f = 500 MHz 3.5 5
GHz
G
UM
最大 unilateral
电源 增益
I
C
= 15 毫安; v
CE
= 10 v; f = 1 ghz;
T
amb
=25
°
C
14
dB
I
C
= 15 毫安; v
CE
= 10 v; f = 2 ghz;
T
amb
=25
°
C
8
dB
F 噪音 figure I
C
= 5 毫安; v
CE
= 10 v; f = 1 ghz;
Γ
s
=
Γ
opt
2
dB
T
j
接合面 温度
−−
150
°
C
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