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12月 1997 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 场效应晶体管 BFT46
图.8

y
os

相比 v
DS
. i
D
= 0,4 毫安; f = 1 khz;
T
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
3001020
V
DS
(v)
10
3
10
2
10
1
MDA271
|
y
os
|
(
µ
一个/v)
典型值
图.9  典型 值. v
DS
= 10 v; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
V
GS
(v)
C
是
(pf)
6
4
2
0
−
1
−
2
−
4
−
3
MDA266
图.10  典型 值. v
DS
= 10 v, t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
V
GS
(v)
C
rs
(pf)
1.5
1
0.5
0
−
1
−
2
−
4
−
3
MDA267
图.11  i
GSS
相比 t
j
.
−
V
GSS
= 10v; v
DS
=0.
handbook, halfpage
15010050
I
GSS
(na)
0
典型值
10
1
10
−
1
10
−
2
10
−
3
MDA268
T
j
(
°
c)

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12月 1997 6 飞利浦半导体产品规格 n-频道硅场效应晶体管 BFT46 图.8  y os  相比 v DS . i D = 0,4 毫安; f = 1 khz; T amb =25 ° c. handbook, halfpage 3001020 V DS (v) 10 3 10 2 10 1 MDA271 \| y os \| ( µ 一个/v) 典型值图.9 典型值. v DS = 10 v; t amb =25 ° c. handbook, halfpage 0 V GS (v) C 是 (pf) 6 4 2 0 − 1 − 2 − 4 − 3 MDA266 图.10 典型值. v DS = 10 v, t amb =25 ° c. handbook, halfpage 0 V GS (v) C rs (pf) 1.5 1 0.5 0 − 1 − 2 − 4 − 3 MDA267 图.11 i GSS 相比 t j . − V GSS = 10v; v DS =0. handbook, halfpage 15010050 I GSS (na) 0 典型值 10 1 10 − 1 10 − 2 10 − 3 MDA268 T j ( ° c)

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