2002 Sep 06 5
飞利浦 半导体 产品 规格
mmic wideband amplifier BGM1012
应用 信息
图示 2 显示 一个 典型 应用 电路 为 这
bgm1012 mmic. 这 设备 是 内部 matched 至
50
Ω
, 和 因此 做 不 需要 任何 外部 相一致.
这 值 的 这 输入 和 输出 直流 blocking 电容
c2 和 c3 应当 不 是 更多 比 100 pf 为
产品 在之上 100 mhz. 不管怎样, 当 这 设备 是
运作 在下 100 mhz, 这 电容 值 应当 是
增加.
这 名义上的 值 的 这 rf choke l1 是 100 nh. 在
发生率 在下 100 mhz 这个 值 应当 是
增加 至 220 nh. 在 发生率 在之上 1 GHz 一个 更
更小的 值 (e.g. 10 nh) 能 是 使用 至 改进 返回
losses. 为 最优的 结果, 一个 好的 质量 碎片 inductor
此类 作 这 TDK MLG 1608 (0603), 或者 一个 线-伤害 SMD
类型 应当 是 选择.
两个都 这 rf choke l1 和 这 22 nf 供应 解耦
电容 c1 应当 是 located 作 closely 作 可能 至
这 mmic.
独立的 paths 必须 是 使用 为 这 地面 平面 的 这
地面 管脚 GND1 和 gnd2, 和 这些 paths 必须 是 作
短的 作 可能. 当 使用 vias, 使用 多样的 vias 每
管脚 在 顺序 至 限制 地面 path 电感.
图示 3 显示 二 倾泻 mmics. 这个 配置
doubles 整体的 增益 当 preserving broadband
特性. 供应 解耦 和 grounding
情况 为 各自 mmic 是 这 一样 作 那些 为 这
电路 的 图.2.
这 极好的 wideband 特性 的 这 MMIC 制造
它 一个 完美的 building 块 在 如果 放大器 产品 此类
作 lbns (看 图.4).
作 一个 缓存区 放大器 在 一个 lna 和 一个 mixer 在 一个
接受者 电路, 这 mmic 提供 一个 容易 相一致, 低
噪音 解决方案 (看 图.5).
在 图.6 这 MMIC 是 使用 作 一个 驱动器 至 这 电源 放大器
作 部分 的 一个 传输者 电路. 好的 直线的 效能
和 matched 输入 和 输出 提供 快 设计 解决方案
在 此类 产品.
handbook, halfpage
MGU436
rf outrf 在
C1
L1
C2 C3
GND2GND1
V
s
V
s
rf 输入
rf 输出
图.2 典型 应用 电路.
handbook, halfpage
直流-块
100 pf
直流-块
100 pf
直流-块
100 pf
输入 输出
MGU437
图.3 容易 cascading 应用 电路.
handbook, halfpage
从 rf
电路
至 如果 电路
或者 demodulator
MGU438
mixer
振荡器
wideband
放大器
图.4 应用 作 如果 放大器.
handbook, halfpage
触角
至 如果 电路
或者 demodulator
MGU439
mixer
振荡器
LNA
wideband
放大器
图.5 应用 作 rf 放大器.
handbook, halfpage
从 调制
或者 如果 电路
至 电源
放大器
MGU440
mixer
振荡器
wideband
放大器
图.6 应用 作 驱动器 放大器.
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