hm6264b 序列
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta = 0 至 +70
°
c)
参数 标识 最小值 典型值
*1
最大值 单位 测试 情况
*4
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2.0 — — V
CS1
≥
V
CC
–0.2 v,
CS2
≥
V
CC
–0.2 v 或者 cs2
≤
0.2 v
数据 保持 电流 I
CCDR
—1
*1
25
*2
µ
AV
CC
= 3.0 v, 0 v
≤
Vin
≤
V
CC
CS1
≥
V
CC
–0.2 v, cs2
≥
V
CC
–0.2 v
或者 0 v
≤
CS2
≤
0.2 v
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
t
CDR
0 — — ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
*3
——ns
注释: 1. 涉及 数据 在 ta = 25
°
c.
2. 10
µ
一个 最大值 在 ta = 0 至 + 40
°
c.
3. t
RC
= 读 循环 时间.
4. cs2 控制 地址 缓存区,
我们
缓存区,
CS1
缓存区,
OE
缓存区, 和 din 缓存区. 如果 cs2 控制
数据 保持 模式, vin 水平 (地址,
我们
,
OE
,
CS1
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗
状态. 如果
CS1
控制 数据 保持 模式, cs2 必须 是 cs2
≥
V
CC
– 0.2 v 或者 0 v
≤
CS2
≤
0.2
v. 这 其它 输入 水平 (地址,
我们
,
OE
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 状态.
低 v
CC
数据 保持 定时 波形 (1)
(
CS1
控制)
t
CDR
t
R
数据 保持 模式
CS1
≥
V
CC
– 0.2 v
V
CC
4.5 v
2.2 v
V
DR
0 v
CS1
低 v
CC
数据 保持 定时 波形 (2)
(cs2 控制)
数据 保持 模式
t
R
t
CDR
CS2
≤
0.2 v
V
CC
4.5 v
V
DR
0 v
CS2
0.4 v
: 点此下载
