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1998 Jan 28 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLT94
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级; i
C
=20mA 20
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基; i
C
=40mA 10
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级; i
E
=4mA 3
−−
V
I
CES
集电级 泄漏 电流 V
是
= 0; v
CE
= 7.5 V
−−
1mA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1.2 一个; v
CE
=5V 25
−−
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 7.5 v; f = 1 MHz
−
24
−
pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CE
= 7.5 v; f = 1 MHz
−
17
−
pF
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
= 5 v; t
j
=25
°
c.
量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.001.
handbook, halfpage
0 2.0
100
0
20
MGM526
40
60
80
0.4 0.8 1.2 1.6
I
C
(一个)
h
FE
图.4 集电级 电容 作 一个 函数 的
集电级-根基 电压; 典型 值.
I
E
=i
e
= 0; f = 1 mhz; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
020
50
0
10
MGM527
20
30
40
4 8 12 16
C
c
(pf)
V
CB
(v)

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1998 Jan 28 4 飞利浦半导体产品规格 uhf 电源晶体管 BLT94 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)cbo 集电级-根基损坏电压打开发射级; i C =20mA 20 −− V V (br)ceo 集电级-发射级损坏电压打开根基; i C =40mA 10 −− V V (br)ebo 发射级-根基损坏电压打开集电级; i E =4mA 3 −− V I CES 集电级泄漏电流 V 是 = 0; v CE = 7.5 V −− 1mA h FE 直流电流增益 I C = 1.2 一个; v CE =5V 25 −− C c 集电级电容 I E =i e = 0; v CB = 7.5 v; f = 1 MHz − 24 − pF C re 反馈电容 I C = 0; v CE = 7.5 v; f = 1 MHz − 17 − pF 图.3 直流电流增益作一个函数的集电级电流; 典型值. V CE = 5 v; t j =25 ° c. 量过的下面脉冲波情况: t p ≤ 300 µ s; δ≤ 0.001. handbook, halfpage 0 2.0 100 0 20 MGM526 40 60 80 0.4 0.8 1.2 1.6 I C (一个) h FE 图.4 集电级电容作一个函数的集电级-根基电压; 典型值. I E =i e = 0; f = 1 mhz; t j =25 ° c. handbook, halfpage 020 50 0 10 MGM527 20 30 40 4 8 12 16 C c (pf) V CB (v)

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