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资料编号:175317
 
资料名称:BLV30
 
文件大小: 13.98K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
一个 d v 一个 n c e d s e m i c o n d u c t o r, i n c.
rev. 一个
7525 ethel avenue
北 hollywood, ca 91605
(818) 982-1200
传真 (818) 765-3004 1/1
规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
特性
T
C
= 25
O
C
标识
毫无
测试 情况 最小 典型 最大 单位
BV
CBO
I
C
V
BV
CEO
I
C
V
BV
EBO
I
E
= 4.0 毫安 4.0
V
I
CBO
V
CB
= 30 v 4.0
毫安
h
FE
V
CE
= 25 v i
C
= 500 毫安 15 120
---
C
OB
V
CB
= 28 v f = 1.0 mhz 10
pF
P
G
IMD
1
V
CE
= 25 v I
C
= 410 毫安 f = 860 mhz
P
输出
= 2.0 w
10
-60
dB
dBc
npn 硅 rf 电源 晶体管
BLV30
描述:
asi blv30
是 设计 为
television 带宽 iv &放大; v 产品
向上 至 860 mhz.
特性:
一般 发射级
P
G
= 10 db 在 2.0 w/860 mhz
Omnigold
™ metalization 系统
最大 比率
I
C
1.5 一个
V
CBO
60 v
V
CEO
30 v
V
EBO
4.0 v
P
DISS
15.9 w@ t
C
= 25
O
C
T
J
-65
O
c 至 +200
O
C
T
STG
-65
O
c 至 +150
O
C
θ
θθ
θ
JC
10
O
c/w
包装 样式 .280 4l stud
最小
英寸 / mm
.003 / 0.08
.270 / 6.86
.117 / 2.97
B
C
D
E
F
G
一个
最大
.285 / 7.24
.137 / 3.48
.007 / 0.18
英寸 / mm
H
.245 / 6.22 .255 / 6.48
DIM
1.010 / 25.65 1.055 / 26.80
I
J
.217 / 5.51
.220 / 5.59
K
.175 / 4.45
.285 / 7.24.275 / 6.99
.572 / 14.53
.640 / 16.26
.130 / 3.30
.230 /5.84
G
K
H
F
E
D
C
B
45°
一个
#8-32 unc
I
J
S
S
D
G
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