2000 Jan 12 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 blv958; blv958fl
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. 量过的 下面 搏动 情况: t
p
≤
500
µ
s;
δ≤
0.01.
2. 值 的 c
c
是 那 的 这 消逝 仅有的, 它 是 不 measurable 因为 的 内部的 相一致 网络.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级; i
C
=60mA 70
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基; i
C
= 150 毫安 30
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级; i
E
= 3 毫安 3
−−
V
I
CES
集电级 泄漏 电流 V
是
= 0; v
CE
=28V
−−
5mA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=10v; i
C
= 4.5 一个; 便条 1;
看 图 3
30
−
120
C
c
集电级 电容 V
CB
=26v; i
E
=i
e
=0;
f = 1 mhz; 便条 2; 看 图 4
−
75
−
pF
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
量过的 下面 搏动 情况; t
p
≤
500
µ
s;
δ≤
0.01.
(1) V
CE
=26v.
(2) V
CE
=10v.
handbook, halfpage
0
80
40
120
04 81216
h
FE
I
C
(一个)
MLD243
(2)
(1)
图.4 集电级 电容 作 一个 函数 的
集电级-根基 电压; 典型 值.
值 c
c
是 那 的 这 消逝 仅有的, 它 是 不 measurable 因为 的
内部的 相一致 网络.
I
E
=i
e
= 0; f = 1 mhz.
handbook, halfpage
0
100
150
(pf)
50
200
010203040
C
c
v (v)
CB
MLD244
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