8月 1986 3
飞利浦 半导体 产品 规格
vhf 电源 晶体管 BLV10
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
集电级-发射级 电压 (v
是
= 0)
顶峰 值 V
CESM
最大值 36 V
集电级-发射级 电压 (打开 根基) V
CEO
最大值 18 V
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
最大值 4 V
集电级 电流 (平均) I
c(av)
最大值 1,5 一个
集电级 电流 (顶峰 值); f
>
1 mhz I
CM
最大值 4,0 一个
r.f. 电源 消耗 (f
>
1 mhz); t
mb
=25
°
CP
rf
最大值 20 W
存储 温度 T
stg
−
65 至
+
150
°
C
运行 接合面 温度 T
j
最大值 200
°
C
图.2 d.c. soar.
handbook, halfpage
5101520
1.75
0.5
1.5
1.25
1
0.75
MGP248
I
C
(一个)
V
CE
(v)
T
h
= 70
°
C
T
mb
= 25
°
C
图.3 r.f. 电源 消耗;
V
CE
≤
16,5 v; f
>
1 mhz.
I 持续的 d.c. 运作
II 持续的 r.f. 运作
III 短的-时间 运作 在 mismatch
handbook, halfpage
0 50 100
30
0
10
20
MGP249
P
tot
(w)
T
h
(
°
c)
减额 用 0.12 w/k
0.1 w/k
Ι
ΙΙ
ΙΙΙ