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资料编号:175346
 
资料名称:BLV193
 
文件大小: 108.63K
   
说明
 
介绍:
UHF power transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
march 1993 3
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLV193
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
36 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
16 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
3V
I
C
集电级 电流 直流 或者 平均 值
3.5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
mb
=25
°
C
44 W
T
stg
存储 温度 范围
65 150
°
C
T
j
接合面 温度
200
°
C
图.2 直流 soar.
handbook, halfpage
MRA552
1
10
110
V
CE
(v)
I
C
(一个)
10
2
10
1
T
mb
= 25
o
C
T
h
= 70
o
C
图.3 电源 减额 曲线.
(1) 持续的 运作.
(2) 短的 时间 运作 在 mismatch.
handbook, halfpage
MRA553
0
P
tot
(w)
20
40
60
02040
T
h
(
o
c)
60 80 100 120
(1)
(2)
热的 阻抗
标识 参数 情况
热的
阻抗
R
th j-mb
从 接合面 至 挂载 根基 P
dis
= 44 w; t
mb
=25
°
C 4.0 k/w
R
th mb-h
从 挂载 根基 至 散热器 0.4 k/w
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