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march 1993 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLV193
特性
T
j
= 25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
便条
1. 量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
≤
200
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 打开 发射级;
I
c
=20mA
36
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 打开 根基;
I
c
=40mA
16
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 打开 集电级;
I
E
= 0.5 毫安
3
−−
V
I
CES
集电级-发射级 泄漏 电流 V
CE
=16v;
V
是
=0
−−
1mA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=10v;
I
c
= 1.2 一个;
便条 1
25 60
−
C
c
集电级 电容 V
CB
= 12.5 v;
I
E
=I
e
=0;
f = 1 MHz
−
24.5
−
pF
C
re
反馈 电容 V
CE
= 12.5 v;
I
c
=0;
f = 1 MHz
−
13
−
pF
C
c-mb
集电级-挂载 根基 电容
−
2
−
pF

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march 1993 4 飞利浦半导体产品规格 uhf 电源晶体管 BLV193 特性 T j = 25 ° c 除非否则 speciﬁed. 便条 1. 量过的下面脉冲波情况: t p ≤ 200 µ s; δ≤ 0.02. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)cbo 集电级-根基损坏电压打开发射级; I c =20mA 36 −− V V (br)ceo 集电级-发射级损坏电压打开根基; I c =40mA 16 −− V V (br)ebo 发射级-根基损坏电压打开集电级; I E = 0.5 毫安 3 −− V I CES 集电级-发射级泄漏电流 V CE =16v; V 是 =0 −− 1mA h FE 直流电流增益 V CE =10v; I c = 1.2 一个; 便条 1 25 60 − C c 集电级电容 V CB = 12.5 v; I E =I e =0; f = 1 MHz − 24.5 − pF C re 反馈电容 V CE = 12.5 v; I c =0; f = 1 MHz − 13 − pF C c-mb 集电级-挂载根基电容 − 2 − pF

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