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九月 1991 3
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 blv99/sl
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
热的 阻抗
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
50 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
27 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
3.5 V
I
C
集电级 电流 直流 值
−
200 毫安
I
CM
集电级 电流 顶峰 值
f
>
1 mhz
−
600 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 f
>
1 mhz;
T
mb
=50
°
C
−
6W
T
stg
存储 温度 范围
−
65 150
°
C
T
j
接合面 运行 温度
−
200
°
C
标识 参数 情况 最大值 单位
R
th j-mb(rf)
从 接合面 至 挂载 根基 P
L
= 4.5 w; t
mb
=25
°
C 20 k/w
图.2  电源/温度 减额 曲线.
(i) 持续的 rf 运作.
(ii) 短的 时间 运作 在 mismatch.
handbook, halfpage
0 40 80 160
T
h
(
°
c)
P
tot
(w)
12
0
4
8
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MBK466
Ι
ΙΙ

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九月 1991 3 飞利浦半导体产品规格 uhf 电源晶体管 blv99/sl 限制的值在一致和这绝对最大系统 (iec 134). 热的阻抗标识参数情况最小值最大值单位 V CBO 集电级-根基电压打开发射级 − 50 V V CEO 集电级-发射级电压打开根基 − 27 V V EBO 发射级-根基电压打开集电级 − 3.5 V I C 集电级电流直流值 − 200 毫安 I CM 集电级电流顶峰值 f > 1 mhz − 600 毫安 P tot 总的电源消耗 f > 1 mhz; T mb =50 ° C − 6W T stg 存储温度范围 − 65 150 ° C T j 接合面运行温度 − 200 ° C 标识参数情况最大值单位 R th j-mb(rf) 从接合面至挂载根基 P L = 4.5 w; t mb =25 ° C 20 k/w 图.2 电源/温度减额曲线. (i) 持续的 rf 运作. (ii) 短的时间运作在 mismatch. handbook, halfpage 0 40 80 160 T h ( ° c) P tot (w) 12 0 4 8 120 MBK466 Ι ΙΙ

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