1996 Jul 16 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 直线的 电源 晶体管 BLW898
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 15 毫安; i
E
=0 60
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 30 毫安; i
B
=0 28
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 0.6 毫安; i
C
= 0 2.5
−−
V
I
CBO
集电级-根基 泄漏 电流 V
是
= 0; v
CB
=28V
−−
1.5 毫安
I
CEO
集电级-发射级 泄漏 电流 V
CE
=20V
−−
3mA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 25 v; i
C
= 1.1 一个 30
−
140
C
c
集电级 电容 V
CB
= 25 v; i
E
=i
e
=0;
f = 1 MHz
−
18
−
pF
C
re
反馈 电容 V
CB
= 25 v; i
C
= 0; f = 1 MHz
−
11
−
pF
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
= 25 v; t
p
= 500
µ
s;
δ
=<1%.
handbook, halfpage
01
h
FE
2
I
C
(一个)
3
160
120
40
0
80
MGD532
图.4 集电级 电容 作 一个 函数 的
集电级-根基 电压; 典型 值.
I
E
=i
e
= 0; f = 1 mhz.
handbook, halfpage
0
60
C
c
(pf)
40
20
0
10 20 40
MGD533
30
V
CB
(v)
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