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march 1993 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf 电源 晶体管 BLW80
特性
T
j
=25
°
C
便条
1. 量过的 下面 脉冲波 情况: t
p
≤
200
µ
s;
δ≤
0,02.
损坏 电压
集电级-发射级 电压
V
是
=0;i
C
=10mA V
(br)ces
>
36 V
集电级-发射级 电压
打开 根基; i
C
=50mA V
(br)ceo
>
17 V
发射级-根基 电压
打开 集电级; i
E
= 4 毫安 V
(br)ebo
>
4V
集电级 截-止 电流
V
是
= 0; v
CE
=17V I
CES
<
4mA
d.c. 电流 增益
(1)
I
C
= 0,5 一个; v
CE
=5V h
FE
>
10
典型值 35
集电级-发射级 饱和 电压
(1)
I
C
= 1,5 一个; i
B
= 0,3 一个 V
CEsat
典型值 0,75 V
转变 频率
在 f = 500 mhz
(1)
I
C
= 0,5 一个; v
CE
= 12,5 V f
T
典型值 1,75 GHz
I
C
= 1,5 一个; v
CE
= 12,5 V f
T
典型值 1,25 GHz
集电级 电容
在 f = 1 MHz
I
E
=I
e
= 0; v
CB
= 12,5 V C
c
典型值 14 pF
反馈 电容
在 f = 1 mhz
I
C
= 40 毫安; v
CE
= 12,5 V C
re
典型值 7,1 pF
集电级-stud 电容
C
cs
典型值 1,2 pF

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march 1993 4 飞利浦半导体产品规格 uhf 电源晶体管 BLW80 特性 T j =25 ° C 便条 1. 量过的下面脉冲波情况: t p ≤ 200 µ s; δ≤ 0,02. 损坏电压集电级-发射级电压 V 是 =0;i C =10mA V (br)ces > 36 V 集电级-发射级电压打开根基; i C =50mA V (br)ceo > 17 V 发射级-根基电压打开集电级; i E = 4 毫安 V (br)ebo > 4V 集电级截-止电流 V 是 = 0; v CE =17V I CES < 4mA d.c. 电流增益 (1) I C = 0,5 一个; v CE =5V h FE > 10 典型值 35 集电级-发射级饱和电压 (1) I C = 1,5 一个; i B = 0,3 一个 V CEsat 典型值 0,75 V 转变频率在 f = 500 mhz (1) I C = 0,5 一个; v CE = 12,5 V f T 典型值 1,75 GHz I C = 1,5 一个; v CE = 12,5 V f T 典型值 1,25 GHz 集电级电容在 f = 1 MHz I E =I e = 0; v CB = 12,5 V C c 典型值 14 pF 反馈电容在 f = 1 mhz I C = 40 毫安; v CE = 12,5 V C re 典型值 7,1 pF 集电级-stud 电容 C cs 典型值 1,2 pF

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