寄存器 Backup
这 bq2013H RBI 输入 管脚 是 将 至 是 使用 和
一个 存储 电容 至 提供 backup 潜在的 至 这 在
-
ternal bq2013H 寄存器 当 V
CC
短促地 drops 是
-
低 3.0v. V
CC
是 输出 在 RBI 当 V
CC
是 在之上 3.0v.
之后 V
CC
rises 在之上 3.0v, 这 bq2013H checks 这 内部的
寄存器 为 数据 丧失 或者 corruption. 如果 数据 有 changed,
然后 这 NAC 寄存器 是 cleared, 和 这 LMD 寄存器 是
承载 和 这 最初的 pfc.
电压 门槛
在 conjunction 和 monitoring V
SR
为 承担/释放
电流, 这 bq2013H monitors 这 电池 潜在的
通过 这 SB 管脚 为 这 终止-的-释放 电压 (edv)
门槛.
这 EDV 门槛 水平 是 使用 至 决定 当
这 电池 有 reached 一个 “empty” 状态.
这 EDV 门槛 为 这 bq2013H 是 设置 作 跟随:
edv1 (第一) = 1.00v
EDVF (最终) = edv1 - 100mv
这 电池 电压 分隔物 (rb1 和 RB2 在 图示 1) 是
使用 至 规模 这些 值 至 这 desired 门槛.
如果 VSB 是 在下 也 的 这 二 EDV 门槛 为 这
指定 延迟 时间 在 表格 1, 这 有关联的 标记 是
latched 和 仍然是 latched, 独立 的 vsb, 直到
这 next 有效的 承担. EDV monitoring 是 无能 如果 这
OVLD 位 在 FLGS2 是 设置.
表格 1. 延迟 时间 在 秒
Capacity
温度
< 10
°
C10
°
c 至 30
°
C > 30
°
C
> 40% 7 6 5
20% 至 40% 4 3 2
< 20% 2 2 2
重置
这 bq2013H 能 是 重置 用 removing V
CC
和 地面
-
ing 这 RBI 管脚 为 15 秒 或者 和 一个 command 在
这 串行 端口. 这 串行 端口 重置 command sequence
需要 writing 00h 至 寄存器 PPFC (地址 = leh)
和 这 writing 00h 至 寄存器 LMD (地址 = 05h.)
温度
这 bq2013H 内部 确定 这 温度 在
10°C 步伐 集中 从 -35°c 至 +85°c. 这 tempera
-
ture 步伐 是 使用 至 adapt 承担 比率 compensations
和 自-释放 counting. 这 温度 范围 是
有 在 这 串行 端口 在 10°C increments 作
显示 在 这 下列的 表格:
TMPGG (十六进制) 温度 范围
0x < -30°c
1x -30°c 至 -20°c
2x -20°c 至 -10°c
3x -10°c 至 0°c
4x 0°c 至 10°c
5x 10°c 至 20°c
6x 20°c 至 30°c
7x 30°c 至 40°c
8x 40°c 至 50°c
9x 50°c 至 60°c
Ax 60°c 至 70°c
Bx 70°c 至 80°c
Cx > 80°c
布局 仔细考虑
这 bq2013H measures 这 电压 差别的 在
这 SR 和 V
SS
管脚. V
OS
(这 补偿 电压 在 这 SR
管脚) 是 非常 影响 用 PC 板 布局. 为 最优的
结果, 这 PC 板 布局 应当 follow 这 strict rule 的
一个 单独的-要点 地面 返回. 分享 高-电流
地面 和 小 信号 地面 导致 不想要的 噪音
在 这 小 信号 nodes. additionally:
■
这 电容 应当 是 放置 作 关闭 作 可能
至 这 sb 和 V
CC
管脚 和 它们的 paths 至 V
SS
应当
是 作 短的 作 可能. 一个 高-质量 陶瓷的
电容 的 0.1
µ
f 是 推荐 为 V
CC
.
■
这 sense 电阻 (r
S
) 应当 是 作 关闭 作 可能
至 这 bq2013h.
■
这 r-c 在 这 sr 管脚 应当 是 located 作 关闭 作
可能 至 这 sr 管脚. 这 最大 r 应当 不
超过 100k.
gas gauge 运作
这 运算的 overview 图解 在 图示 2 illus
-
trates 这 运作 的 这 bq2013h. 这 bq2013H 交流
-
cumulates 一个 measure 的 承担 和 释放 电流,
作 好 作 一个 estimation 的 自-释放. 这 bq2013H
compensates 承担 电流 为 承担 比率 和 tem
-
4
bq2013H
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