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资料编号:178119
 
资料名称:BQ2083DBT-V1P3
 
文件大小: 481K
   
说明
 
介绍:
SBS COMPLIANT GAS GAUGE IC
 
 


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slus573 −july 2003
www.德州仪器.com
11
非 更多 比 256 mah 的 自-释放 或者 电池 加载 estimation occurs 在 这 释放 时期.
这 温度 做 不 漏出 在下 这 低 温度 门槛 编写程序 在
learning 低 温度
DF
0x9b 当 edv2 是 发现.
这 电池 电压 reaches 这 edv2 门槛 在 这 释放 时期 和 这 电压 是 更好 比 或者
equal 至 这 edv2 门槛 minus 384 mv 当 这 bq2083−v1p2 发现 edv2.
非 midrange 电压 纠正 occurs 在 这 释放 时期.
电流 仍然是
3c/32 当 edv2 或者
电池 低
% 水平的 是 reached.
非 超载 情况 exists 当 edv2 门槛 是 reached 或者 如果 rm( ) 有 dropped 至
电池 low%
*
fcc.
这 bq2083−v1p2 sets vdq=1 在 包装 状态 当 qualified 释放 begins. 这 bq2083−v1p2 sets vdq=0 如果
任何 disqualifying 情况 occurs. fcc 不能 是 减少 用 更多 比 256 mah 或者 增加 用 更多 比
512 mah 在 任何 单独的 更新 循环. 这 bq2083−v1p2 saves 这 新 fcc 值 至 这 数据 flash 在里面 4
秒 的 正在 updated.
终止-的-释放 门槛 和 capacity 纠正
这 bq2083−v1p2 monitors 这 电池 为 三 低-电压 门槛, edv0, edv1, 和 edv2. 这 edv
门槛 能 是 编写程序 为 determination 为基础 在 这 整体的 包装 电压 或者 一个 单独的 cell 水平的. 这
edvv 位 在
包装 配置
df 0x28 configures 这 bq2083−v1p2 为 整体的 电压 或者 单独的-cell edv
门槛.如果 编写程序 为 单独的 cell edv determination, 这 bq2083−v1p2 确定 edv 在 这 基准 的 这
最低 单独的-cell 电压. fixed edv 门槛 将 是 编写程序 在
emf/edv0
df 0x84-0x85,
edv c0
因素/edv1
df 0x86-0x87, 和
edv r 因素/edv2
df 0x88-0x89. 如果 这 cedv 位 在
gauge 配置
DF
0x29是 设置, 自动 edv 补偿 是 使能 和 这 bq2083−v1p2 computes 这 edv0, edv1, 和 edv2
门槛 为基础 在 这 值 在 df 0x84-0x8d 和 这 电池’s 电流 释放 比率 和 温度. 这
bq2083−V1P2使不能运转 edv 发现 如果电流( )超过 这
超载 电流
门槛 编写程序 在 df 0x58
− df 0x59. 这 bq2083−v1p2 重新开始 edv 门槛发现 之后 电流( )drops 在下 这
超载 电流
门槛. 任何 edv 门槛 发现 是 重置 之后 承担 是 应用 和 vdq 是 cleared 之后 10mah 的 承担.
表格 2. 状态 的 承担 为基础 在 低 电池 电压
门槛
相关的 状态
的 承担
EDV0 0%
EDV1 3%
EDV2
电池 低 %
这 bq2083−v1p2 使用 这 edv 门槛 至 应用 电压-为基础 纠正 至 这 rm 寄存器 符合 至
表格 1.这 bq2083−v1p2 执行 edv-为基础 rm adjustments 和 电流( )
c/32. 非 edvs 是 设置 如果 电流
<
c/32. 这 bq2083−v1p2 adjusts rm 作 它 发现 各自 门槛. 如果 这 电压 门槛 是 reached 在之前 这
相应的 capacity 在释放, 这 bq2083−v1p2 减少 rm 至 这 适合的 数量 作显示 在表格
2. 这个 减少 occurs 仅有的 如果 电流
c/32 当 这 edv 门槛 是 发现. 如果 rm reaches 这 capacity 水平的
在之前 这 电压 门槛 是 reached 在 释放,这 bq2083−v1p2 阻止 rm 从 减少 更远 直到
这 电池 电压 reaches 这 相应的 门槛 仅有的 在 一个 全部 learning 循环 释放. rm 是 不 使保持 在 这
有关联的 edv percentage 在 一个 nonlearning 释放 循环 (vdq=0) 或者 如果 电流
<
c/32.
如果
电池 低
% 是 设置 至 零, edv1 和 edv0 纠正 是 无能.
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