br24l08-w / br24l08f-w / br24l08fj-w
记忆 ics
br24l08fv-w / br24l08fvm-w
1/25
1024
×
8 位 用电气 可擦掉的 prom
br24l08-w / br24l08f-w / br24l08fj-w /
br24l08fv-w / br24l08fvm-w
这 br24l08-w 序列 是 2-线 (i
2
c 总线 类型) 串行 eeproms 这个 是 用电气 可编程序的.
∗
I
2
c 总线 是 一个 注册商标 的飞利浦.
z
产品
一般 目的
z
特性
1) 1024 寄存器
×
8 位 串行 architecture.
2) 单独的 电源 供应 (1.8v 至 5.5v).
3) 二 线 串行 接口.
4) 自-安排时间 写 循环 和 自动 擦掉.
5) 16byte 页 写 模式.
6) 低 电源 消耗量.
写
(5v) : 1.5ma (典型值.)
读 (5v) : 0.2ma (典型值.)
备用物品 (5v) : 0.1
µ
一个 (典型值.)
7) 数据 安全
写 保护 特性 (wp 管脚).
inhibit 至 写 在 低 v
CC
.
8) 小 包装 - - - dip8 / 所以p8 / sop-j8 / ssop-b8 / msop-8
9) 高 可靠性 可擦可编程只读存储器 和 翻倍-cell 结构.
10) 高 可靠性 fine 模式 cmos 技术.
11) 忍耐力 : 1,000,000 擦掉 / 写 循环
12) 数据 保持 : 40 年
13) filtered 输入 在 scl
•
sda 为 噪音 抑制.
14) 最初的 数据 ffh 在 所有 地址.
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识 限制 单位
供应 电压
−
0.3 至
+
6.5 V
电源 消耗 mW
存储 温度
−
65 至
+
125
°
C
运行 温度
°
C
终端 电压
−
V
−
40 至
+
85
V
CC
−
0.3 至 v
CC
+
0.3
Pd
Tstg
Topr
∗
1
450(sop-j8)
450(sop8)
800(dip8)
∗
2
∗
2
∗
3
∗
4
300(ssop-b8)
∗
1 减少 用 8.0mw 为 各自 增加 在 ta 的 1
°
c 在 25
°
c.
∗
2 减少 用 4.5mw 为 各自 增加 在 ta 的 1
°
c 在 25
°
c.
∗
3 减少 用 3.0mw 为 各自 增加 在 ta 的 1
°
c 在 25
°
c.
∗
4 减少 用 3.1mw 为 各自 增加 在 ta 的 1
°
c 在 25
°
c.
310(msop8)
: 点此下载
