MBR41H100CTG_集成电路资料查询网

MBR41H100CT
http://onsemi.com
4
c, 电容 (pf)
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
100
10
40 80
T
J
= 25
°
C
图示 7. 电容
10020 60
10000
1000
r(t), 瞬时 热的 阻抗
图示 8. 热的 回馈 junction−to−ambient
10000.10.00001
t
1
, 时间 (秒)
1
0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.000001
0.1
10
100
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
d = 0.5
单独的 脉冲波
0.2
0.1
0.05
0.01
r(t), 瞬时 热的 阻抗
图示 9. 热的 回馈 junction−to−case
10000.10.00001
t
1
, 时间 (秒)
10
0.001
0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.000001
0.1
1
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
d = 0.5
单独的 脉冲波
0.2
0.1
0.05
0.01
0.001
0.01
0.01

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MBR41H100CT http://onsemi.com 4 c, 电容 (pf) 0 V R , 反转电压 (伏特) 100 10 40 80 T J = 25 ° C 图示 7. 电容 10020 60 10000 1000 r(t), 瞬时热的阻抗图示 8. 热的回馈 junction−to−ambient 10000.10.00001 t 1 , 时间 (秒) 1 0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.000001 0.1 10 100 P (pk) t 1 t 2 职责循环, d = t 1 /t 2 d = 0.5 单独的脉冲波 0.2 0.1 0.05 0.01 r(t), 瞬时热的阻抗图示 9. 热的回馈 junction−to−case 10000.10.00001 t 1 , 时间 (秒) 10 0.001 0.0001 0.001 0.01 1 10 1000.000001 0.1 1 P (pk) t 1 t 2 职责循环, d = t 1 /t 2 d = 0.5 单独的脉冲波 0.2 0.1 0.05 0.01 0.001 0.01 0.01

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