半导体 组 2 12.96
brt 21, brt 22, brt 23
最大 比率
, 在 tj = 25 °c, 除非 否则 指定.
交流 转变
参数 标识 值 单位
最大值 电源 消耗
630 mW
P
tot
碎片 或者 运行 温度
°C
T
j
-40 ...+ 100
存储 温度 -40 ...+ 150
T
stg
绝缘 测试 电压
1)
在 输入/输出 电路
(climate 在 acc. 和 din 40046, part2, nov.74)
V
是
V
RMS
5300
涉及 电压 在 acc. 和 vde 0110 b
(绝缘 组 c)
V
ref
V
RMS
V
直流
500
600
creepage 追踪 阻抗
(在 acc. 和 din iec 112/vde 0303, 部分 1)
C
德州仪器
(组 iiia
acc. 至 din
vde 0109)
175
R
是
绝缘 阻抗
V
IO
= 500 v,
T
一个
= 25 °c
V
IO
= 500 v,
T
一个
= 100 °c
≥
10
12
≥
10
11
Ω
din 湿度 类别, din 40 040
-
F
-
creepage 距离 (输入/输出 电路) -
≥
7.2
mm
clearance (输入/输出 电路) -
≥
7.2
输入 电路
参数 标识 单位值
param vr
V
R
6 V
持续的 向前 电流
I
F
mA20
1.5
surge 向前 电流,
I
fsm(i)
一个
最大值 电源 消耗, t
≤
10 µs
P
tot
30 mW
输出 电路
参数
标识 BRT
22
单位BRT
23
BRT
21
V
repetitive 顶峰 止-状态 电压
V
DRM
400 600 800
rms 在-状态 电流
I
TRMS
300 毫安
单独的 循环 surge 电流 (50 hz)
I
tsm(i)
3 一个
最大值 电源 消耗
P
tot
600
mW
T
j
,
t
≤
10
µ
s
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