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半导体 组 3 12.96
brt 21, brt 22, brt 23
特性
在 tj = 25 °c, 除非 否则 指定.
输入 电路
参数 值标识 单位
典型值 最大值最小值
向前 电压,
I
F
= 10 毫安
V
F
1.1 V1.35-
- - 10
I
R
反转 电流,
V
R
= 6 v
µA
热的 阻抗
2)
接合面 - 包围的
R
thJA
- - 750 k/w
输出 电路
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
核心的 比率 的 上升 的 止-状态 电压
V
D
= 0.67
V
DRM
,
T
j
= 25 °c
V
D
= 0.67
V
DRM
,
T
j
= 80 °c
d
v
/d
t
cr
-
-
kv/µs
-
-
10
5
10
5
d
v
/d
t
crq
-
-
-
-
核心的 比率 的 上升 的 电压 在 电流
交流
V
D
= 0.67
V
DRM
,
T
j
= 25 °c, d
i
/d
t
crq
≤
15 一个/ms
V
D
= 0.67
V
DRM
,
T
j
= 80 °c, d
i
/d
t
crq
≤
15 一个/ms
核心的 比率 的 上升 的 在-状态 电流 d
i
/d
t
cr
-8 一个/µs-
脉冲波 电流
t
p
≤
5 µs,
f
= 100 , d
i
tp
/d
t
≤
8 一个/µs
I
tp
- a2-
在-状态 电压,
I
T
= 300 毫安
V
V
T
- 2.3-
I
D
-
-
止-状态 电流
T
C
= 25 °c,
V
DRM
T
C
= 80 °c,
V
DRM
7
12
30
1000
µA
支持 电流,
V
D
= 10 v
I
H
50080-
热的 阻抗
2)
接合面 - 包围的
R
thJA
- - 125 k/w
T
j
t
p
≤
5
µ
s,
f
= 100 hz, d
i
tp
/d
t
≤
8 一个/ms
100
commutation
V
D
= 0.67 v
DRM
,
T
j
= 25
°
c, d
i
/d
t
crq
≤
15 一个/ms
V
D
= 0.67 v
DRM
,
T
j
= 80
°
c, d
i
/d
t
crq
≤
15 一个/ms

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半导体组 3 12.96 brt 21, brt 22, brt 23 特性在 tj = 25 °c, 除非否则指定. 输入电路参数值标识单位典型值最大值最小值向前电压, I F = 10 毫安 V F 1.1 V1.35- - - 10 I R 反转电流, V R = 6 v µA 热的阻抗 2) 接合面 - 包围的 R thJA - - 750 k/w 输出电路参数标识值单位最小值典型值最大值核心的比率的上升的止-状态电压 V D = 0.67 V DRM , T j = 25 °c V D = 0.67 V DRM , T j = 80 °c d v /d t cr - - kv/µs - - 10 5 10 5 d v /d t crq - - - - 核心的比率的上升的电压在电流交流 V D = 0.67 V DRM , T j = 25 °c, d i /d t crq ≤ 15 一个/ms V D = 0.67 V DRM , T j = 80 °c, d i /d t crq ≤ 15 一个/ms 核心的比率的上升的在-状态电流 d i /d t cr -8 一个/µs- 脉冲波电流 t p ≤ 5 µs, f = 100 , d i tp /d t ≤ 8 一个/µs I tp - a2- 在-状态电压, I T = 300 毫安 V V T - 2.3- I D - - 止-状态电流 T C = 25 °c, V DRM T C = 80 °c, V DRM 7 12 30 1000 µA 支持电流, V D = 10 v I H 50080- 热的阻抗 2) 接合面 - 包围的 R thJA - - 125 k/w T j t p ≤ 5 µ s, f = 100 hz, d i tp /d t ≤ 8 一个/ms 100 commutation V D = 0.67 v DRM , T j = 25 ° c, d i /d t crq ≤ 15 一个/ms V D = 0.67 v DRM , T j = 80 ° c, d i /d t crq ≤ 15 一个/ms

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