飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 BSH207
mos 晶体管
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
一个
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
一个
); 情况: v
GS
≤
-10 v
图.3. safe 运行 范围. t
一个
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-一个
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
normalised 电源 消耗, pd (%)
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150
包围的 温度, ta (c)
BSH207
0.01
0.1
1
10
100
1000
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02 1e-01 1E+00 1E+01
脉冲波 宽度, tp (s)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
d = tp/t
D
P
T
normalised 流 电流, id (%)
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150
包围的 温度, ta (c)
BSH207
-5
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-2-1.5-1-0.50
流-源 电压, vds (v)
流 电流, id (一个)
vgs = -0.8 v
-0.9 v
-4.5 v
-1.2 v
-1 v
tj = 25 c
-1.1 v
-1.3 v
-1.8 v
-2.5 v
BSH207
0.01
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
流-源 电压, vds (v)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
d.c.
100 ms
10 ms
rds(在) = vds/ id
tp = 1ms
BSH207
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
-5-4.5-4-3.5-3-2.5-2-1.5-1-0.50
流 电流, id (一个)
流-源 在 阻抗, rds(在) (ohms)
vgs = -4.5v
-1.2 v-1v
tj = 25 c
-0.8 v
-1.1 v
-0.9 v
-2.5 v
-1.3 v
-1.8 v
8月 1998 3 rev 1.000
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