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资料编号:180443
资料名称:
BSM25GAL120DN2
文件大小: 62.2K
说明
:
介绍
:
IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
4
三月-29-1996
bsm 25 gal 120 dn2
电的 特性
, 在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
chopper 二极管
chopper 二极管 向前 电压
I
FC
= 35 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
FC
= 35 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 125 °c
V
FC
-
-
1.8
2.3
-
2.8
V
反转 恢复 时间, chopper
I
FC
= 35 一个,
V
R
= -600 v,
V
GE
= 0 v
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs,
T
j
= 125 °c
t
rrC
-
250
-
ns
反转 恢复 承担, chopper
I
FC
= 35 一个,
V
R
= -600 v,
V
GE
= 0 v
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs
T
j
= 25 °c
T
j
= 125 °c
Q
rrC
-
-
5
2
-
-
µC
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