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资料编号:180443
 
资料名称:BSM25GAL120DN2
 
文件大小: 62.2K
   
说明
 
介绍:
IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
 
 


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半导体 组
4 三月-29-1996
bsm 25 gal 120 dn2
电的 特性
, 在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
chopper 二极管
chopper 二极管 向前 电压
I
FC
= 35 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 25 °c
I
FC
= 35 一个,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 125 °c
V
FC
-
-
1.8
2.3
-
2.8
V
反转 恢复 时间, chopper
I
FC
= 35 一个,
V
R
= -600 v,
V
GE
= 0 v
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs,
T
j
= 125 °c
t
rrC
- 250 -
ns
反转 恢复 承担, chopper
I
FC
= 35 一个,
V
R
= -600 v,
V
GE
= 0 v
d
i
F
/
dt
= -800 一个/µs
T
j
= 25 °c
T
j
= 125 °c
Q
rrC
-
-
5
2
-
-
µC
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